Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
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Sandisk 3D-NAND
台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 技术提供进一步的灵活性。台积电预计 A14 将于 2028 年进入量产，但没有背面供电。计划于 14 年推出具有背面供电功能的 A2029 版本。“A14 是我们的全节点下一代先进芯片技术，”台积电业务发展和全球销售高级副总
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台积电 1.4nm GAA 晶体管
英飞凌科技股份公司近日推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD ）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长，那么这种情况就会更加严重，导致效率低于目标值。目前功率器件设
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英飞凌 肖特基二极管 工业用 GaN 晶体管
整流是通过固态半导体器件将交流电源连接到直流负载的过程。整流通过二极管、晶闸管、晶体管或转换器将振荡的正弦交流电压源转换为恒定的直流电压供应。这一整流过程可以采取多种形式，包括半波、全波、不可控和全控整流器，将单相或三相电源转换为恒定的直流电平。在本教程中，我们将探讨单相整流及其所有形式。整流器是交流电源转换的基本构建模块之一，半波或全波整流通常由半导体二极管执行。二极管允许交流电流在正向流动，同时阻止反向电流流动，从而产生固定的直流电压电平，使其成为理想的整流器件。然而，通过二极管整流的直流电并不像从电
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单相整流，二极管，晶闸管，晶体管，转换器，整流器
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
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3D DRAM
日前，紫光国微在投资者互动平台透露，公司在无锡建设的高可靠性芯片封装测试项目已于2024年6月产线通线，现正在推动量产产品的上量和更多新产品的导入工作，2.5D/3D等先进封装将会根据产线运行情况择机启动。据了解，无锡紫光集电高可靠性芯片封装测试项目是紫光集团在芯片制造领域的重点布局项目，也是紫光国微在高可靠芯片领域的重要产业链延伸。拟建设小批量、多品种智能信息高质量可靠性标准塑料封装和陶瓷封装生产线，对保障高可靠芯片的产业链稳定和安全具有重要作用。
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紫光国微 2D/3D 芯片封装
据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
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3D NAND 深孔蚀刻
斯坦福大学教授李飞飞已经在 AI 历史上赢得了自己的地位。她在深度学习革命中发挥了重要作用，多年来努力创建 ImageNet 数据集和竞赛，挑战 AI 系统识别 1000 个类别的物体和动物。2012 年，一个名为 AlexNet 的神经网络在 AI 研究界引起了震动，它的性能远远超过了所有其他类型的模型，并赢得了 ImageNet 比赛。从那时起，神经网络开始腾飞，由互联网上现在提供的大量免费训练数据和提供前所未有的计算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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李飞飞对计算机视觉的愿景：World Labs 正在为机器提供 3D 空间智能
12月5日消息，美国当地时间周三，谷歌旗下人工智能研究机构DeepMind推出了一款新模型，能够创造出“无穷无尽”且各具特色的3D世界。这款模型名为Genie 2，是DeepMind在今年早些时候推出的Genie模型的升级版。仅凭一张图片和一段文字描述，例如“一个可爱的机器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能构建出一个交互式的实时场景。在这方面，它与李飞飞创立的World Labs以及以色列新兴企业Decart所开发的模型有着异曲同工之妙。DeepMind宣称，Genie 2能够生成“丰富多样的3D
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谷歌 DeepMind Genie 2 模型 3D 互动世界
Teledyne DALSA推出在线3D机器视觉应用开发的软件工具Z-Trak™ 3D Apps Studio。该工具旨在与Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光扫描仪配合使用，可简化生产线上的3D测量和检测任务。Z-Trak 3D Apps Studio能够处理具有不同表面类型、尺寸和几何特征的物体的3D扫描，是电动汽车（电动汽车电池、电机定子等）、汽车、电子、半导体、包装、物流、金属制造、木材等众多行业工厂自动化应用的理想之选。Z-Trak 3D Apps Studio具有简化的工具，用于
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Teledyne 3D测量 Z-Trak 3D Apps Studio
据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第
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三星 光刻胶 3D NAND
1、纯Class A（甲类）功率放大器纯甲类功率放大器又称为A类功率放大器（Class A），它是一种完全的线性放大形式的放大器。在纯甲类功率放大器工作时，晶体管的正负通道不论有或没有信号都处于常开状态，这就意味着更多的功率消耗为热量。纯甲类功率放大器在汽车音响的应用中比较少见，像意大利的Sinfoni高品质系列才有这类功率放大器。这是因为纯甲类功率放大器的效率非常低，通常只有20-30%，音响发烧友们对它的声音表现津津乐道。小信号放大器主要包括：共射极放大器、共基极放大器、共集极放大器，如果这种小信号放
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功率放大器 模拟电路 晶体管
台积电OIP（开放创新平台）于美西当地时间25日展开，除表扬包括力旺、M31在内之业者外，更计划推出3Dblox新标准，进一步加速3D IC生态系统创新，并提高EDA工具的通用性。 台积电设计构建管理处负责人Dan Kochpatcharin表示，将与OIP合作伙伴一同突破3D IC架构中的物理挑战，帮助共同客户利用最新的TSMC 3DFabric技术实现优化的设计。台积电OIP生态系统论坛今年由北美站起跑，与设计合作伙伴及客户共同探讨如何通过更深层次的合作，推动AI芯片设计的创新。 Dan Kochpa
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台积电 OIP 3D IC设计
新的晶体管技术可能会对电子产品产生重大影响。
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模拟振荡器电路通常用于产生用于同步电路定时的方波时钟信号。本文介绍了模拟方波发生器的理论、设计和关键特性。许多电子系统需要定时机制。这通常是通过时钟信号完成的，时钟信号是特定频率的方波。对于许多应用，时钟信号是通过方波振荡器在系统内生成的。然而，该方波信号也可以作为系统的输入。由于许多模拟和数字电路都可以用作方波振荡器，我们的目标是涵盖这两种类型；然而，在本文中，我们将讨论模拟振荡器的设计，介绍它们的工作原理，并回顾它们的优缺点。使用可调多谐振荡器的运算放大器方波发生器我们将研究的第一个电路是一个称为非稳
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运算放大器，晶体管，模拟方波发生器
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